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基于SiO2/Si晶片的CVD石墨烯CVD六方氮化硼異質結
石墨烯/h-BN薄膜的性質：
單層h-BN薄膜上的單層石墨烯薄膜轉移到285nm（p摻雜）SiO2/Si晶片上
尺寸：1cmx1cm; 4片裝
每個薄膜的厚度和質量由拉曼光譜控制
該產品的覆蓋率約為98％
薄膜是連續的，有小孔和有機殘留物
高結晶質量
石墨烯薄膜預先單層（超過95％），偶爾有少量多層（雙層小于5％）
薄層電阻：430-800Ω/平方
石墨烯薄膜以及h-BN薄膜通過CVD方法在銅箔上生長，然后轉移到SiO2/Si晶片上。
硅/二氧化硅晶圓的特性：
氧化層厚度：285nm
顏色：紫羅蘭色
晶圓厚度：525微米
電阻率：0.001-0.005歐姆 - 厘米
型號/摻雜劑：P /硼
方向：<100>
前表面：拋光
背面：蝕刻
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