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    單層氧化石墨烯(H法/進口)

    簡要描述:單層氧化石墨烯(H法/進口) Single Layer Graphene Oxide (H Method)
    制備方法:改良的H法
    直徑:1~5um
    厚度:0.8~1.2nm
    單層比:99%
    純度:99%
    堆積密度:0.44g/cm3
    體積密度:為0.26g/cm3

    • 更新時間:2024-06-04
    • 產品型號:
    • 廠商性質:生產廠家
    • 訪  問  量:641

    詳細介紹

    單層氧化石墨烯(H法/進口) Single Layer Graphene Oxide (H Method)
    制備方法:改良的H法
    直徑:1~5um
    厚度:0.8~1.2nm
    單層比:99%
    純度:99%
    堆積密度:0.44g/cm3
    體積密度:為0.26g/cm3




    TEM of Graphene Oxide




    *The TEM analysis was completed through dispersing ACS-Material Graphene Oxide into water or ethanol with the help of ultrasound


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