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晶體尺寸：10毫米 電學性能：半導體，拓撲絕緣體，熱電材料 晶體結構：單斜晶結構 晶胞參數：a = 1.430nm，B = 0.403nm，C = 0.986nm，α=γ= 90°，β= 95.40 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995% 表征方法：XRD、拉曼、EDX
晶體尺寸：10毫米 電學性能：金屬，電荷密度波（CDW）（TCDW ~ 170K） 晶體結構：單斜晶 晶胞參數：a = 1.479nm，B = 0.364nm，C = 0.934nm，α=γ= 90°，β= 110.71 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995% 表征方法：XRD、拉曼、EDX
Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal Sb2Te3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.
電學性能：半金屬，電荷密度波（CDW，~ 63K），超導體（TC ~ 2K） 晶體結構：單斜磷 晶胞參數：a = 0.5864nm，B = 0.3918nm，C = 1.009nm，α=γ= 90°，γ= 98 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%晶體尺寸：8毫米 表征方法：XRD、拉曼、EDX
二碲化鉬晶體 2H-MoTe2(Molybdenum Ditelluride) 晶體尺寸：~10毫米 電學性能：N型半導體 晶體結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.353 nm, c = 1.396 nm, α = β = 90, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%
二碲化鉬晶體 2H-MoTe2(Molybdenum Ditelluride) 晶體尺寸：~10毫米 電學性能：N型半導體 晶體結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.353 nm, c = 1.396 nm, α = β = 90, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%
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