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CVD石墨烯CVD六方氮化硼異質結 石墨烯/h-BN薄膜的性質: 單層h-BN薄膜上的單層石墨烯薄膜轉移到285nm(p摻雜)SiO2/Si晶片上 尺寸:1cmx1cm; 4片裝 每個薄膜的厚度和質量由拉曼光譜控制 該產品的覆蓋率約為98% 薄膜是連續的,有小孔和有機殘留物 高結晶質量 石墨烯薄膜預先單層(超過95%),偶爾有少量多層(雙層小于5%) 薄層電阻:430-800Ω/平方
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高純度黑磷晶體 Black Phosphorus-Crystal 晶體結構:正斜方晶結構晶體尺寸:~10mm 電學性能:半導體 晶體結構:斜方晶系 晶胞參數:a = 0.331 nm, b= 1.048, c = 0.437 nm, α = β = γ = 90° 晶體類型:合成 晶體純度:99.995% 性質:半導體